uvc-led和紫外線的區別?

1、發光介質不同

深紫外UVC-LED消毒包的發光介質是采用LED燈珠，而紫外線燈利用汞燈發出的紫外線來實現殺菌消毒功能。

2、環保性不同

紫外線汞燈就是水銀燈，水銀是有劇毒的，一旦汞燈破裂、水銀泄露對人體以及環境都有很嚴重的危害，而且我國已經簽署了《水俁公約》，從2020年以后全面禁汞，含汞類的產品都不允許生產以及銷售了，這也可以看出來國家對于汞燈的態度了。而深紫外UVC-LED消毒包采用的LED燈珠具有電功耗小、啟動快、壽命長、體積小、殺菌消毒效果好等優點，關鍵UVC-LED在使用過程中不會產生二次污染、環保性能高，因此，UVC-LED正被更多的消費者青睞，深紫外UVC-LED消毒是替代傳統紫外線汞燈不可多得的新型殺菌方式。

3、消毒殺菌所需時間不同

深紫外UVC-LED殺菌消毒包配備的大功率燈珠，在密閉的小空間中，消殺時間一般在十幾秒到三五分鐘，就可以消滅多種常見致病菌，再者，由于UVC-LED燈珠體積小，消毒包對于電源線適配性要求低，普通的充電寶就能開啟，戶外或差旅通勤都能使用，日常便攜性高。而紫外線汞燈所需消殺時間一般在十幾分鐘到半個小時以上，才能達到很好的殺菌效果，但是汞燈因其高壓會產生臭氧、耗電量大、殺菌時間長、設備笨重等原因，限制了在日常使用的范圍，也終將被歷史淘汰。

現階段使用AlGaN資料led燈珠的外部量子功率EQE一般不到10%，因此美國方面的研究人員使用納米陣列的共同構造打破了這個功率瓶頸。

研究人員認為，這種AlGaN陣列結構可以通過橫向磁（TM）偏振效應沿平面傳輸光，以抑制光子的激發，從而克服了鋁占有率高AlGaN下光水平傳輸的負面影響。另一方面，根據研究人員的估計，納米陣列結構可以至少添加70%的光提取功率。

納米為了準確生長陣列晶體，研究人員選擇選擇性區域外延生長技能。

選擇性成長是基于C平面上的GaN基藍寶石襯底上的分子束外延成長技能MBE成長的。

金屬模具外觀氮滲透處理后，GaN納米陣列基板在995°C的環境中開始成長，其上部的AlGaN在935-1025°C的環境中持續成長。納米在陣列上部選擇了富鋁處理。

研究人員使用光致發光（pL）曲線進行縮放，不同共享的AlGaN光譜規模為210？327nm。另一方面，對于280nm的深紫外LED，其納米陣列由厚度為300nm的n型GaN、80nm的n型Al0構成.64Ga0。36N、未摻雜Al0.48Ga0。52N及60nm的p型Al0.64Ga0。36N。

該結構的光致發光光譜為283nm，總線寬為11nm。與不同溫度的pL曲線相比，其內部量子功率IQE在室溫環境下約為45%。

50 x 50μm2大小的器材的開放電壓為4.4V，5V電流密度達到100A/Cm2。該特性遠比以往的量子阱AlGaNLED高。

在波長279nm的情況下，伴隨著電流的添加，存在更細微的藍移現象，規模從279.6nm（50A/Cm2）到278.9nm（252A/Cm2）。

與此同時，估計所有輸出功率為0.93W/Cm2，電流密度達到252A/Cm2。然而，在這種條件下，光效率距離為10%的方針是有距離的。

理論上，總輸出功率可以通過優化納米陣列的尺度和距離來增強光提取功率。另外，器材的功能也可以采用踏實接合等結構來有效地提高。